ST高密度NAND闪存的量产上市为USB闪存驱动器、数字消费电子产品、MP3播放器、数码相机和第三代手机提供了一个成本优化的数据存储解决方案
 日内瓦，2004年3月30日 - 意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天宣布开始量产1000兆位和512兆位NAND 闪存产品，这两款产品首次出现在意法半导体闪存产品系列内， NAND1G 和 NAND512 M分别具有1.8V 和 3V两种产品规格。
新兴的多媒体系统产品是扩大NAND闪存需求的主要动力，而且主要应用领域在2004年可望有显著增长，NAND闪存能够满足大容量、小尺寸的产品的大容量数据存储需求，如用于数码相机、MP3播放器、个人数字助理（PDA）和第三代手机的可拆卸海量存储器。
ST的NAND1G 和 NAND512都具有很大的数据吞吐量 - 这是海量存储应用的主要特点 - 以及便携设备所需的高密度、高速擦写和低功耗特性。为满足两个主要市场的需求，这两款产品都有两种工作电源规格，分别是3.0V电压下的NAND01GW3A和 NAND512W3A，以及1.8V电压下的NAND01GR3A和 NAND512R3A。
NAND512 和 NAND1G产品详情
NAND512 和 NAND1G分别由32页×4096个标准块和32页×8192个标准块组成，支持整体读取和整体编程，块擦除时间仅为2ms。页面大小为528字节（512+16个专用字节）或264字节（2256+8个专用字节），具体大小由器件所采用的总线宽是x8 还是 x16来决定。专用字节通常用于存储纠错码、软件标志或识别坏块。复制程序模式无需通过一个外部缓存就能把存储在一个页面上的数据直接复制到另一个页面上，这个功能通常用于在页面程序因为坏块而发生操作错误时将数据转移到正常工作的页面上。每个块规定的擦写循环100000次，数据保存能力10年。
利用多路复用技术，地址行和数据输入/输出信号可以通过一条8位总线混合传输，这种方法减少了引脚的数量，还为模块化引出线的使用提供了可能，使系统无需改变引脚间距就能升级到更高密度。每个器件还有一个高速缓存程序功能，以便提高大文件的数据吞吐量。这个高速缓存程序把数据装入一个高速缓存内，同时，将过去的数据发送到页式缓存中，然后写入存储阵列。
器件选择包括从NAND存储器开始引导的应用程序专用的"上电后自动0页读取"，以及使微处理器能够更高效地管理与非操作的"组件选通随意"。"组件选通随意"选择还简化了与非闪存与其它类型存储器如或非闪存或SRAM组合使用的难度。组合存储器通常用于要求速度更快的代码存储和工作存储应用，而成本低廉、存储容量大的与非存储器则更适合音乐或影像文件存储。
此外，在出厂前可以写入一个唯一的器件标识符，而且，"用户可编程序列号"支持提高目标应用的安全级。为了扩展器件的使用寿命，可以打开源参考软件算法，包括：识别和纠正数据错误的纠错码（ECC）、在块发生读写操作错误时用于识别错误块并将数据复制到有效块内的坏块管理（BMM）、识别块内的无效页并将有效页复制到另一个块的空闲区域的碎片整理、在所有块内分配擦写操作以优化器件老化的磨损修平。
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意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
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