新的"小页"闪存产品分3V和1.8V两个版本，用于便携消费电子和一次性存储媒体，新产品充实了ST的NAND闪存产品系列组合
 中国，2004年7月15日 - 意法半导体（纽约证券交易所：STM）完成了该公司的'小型页式'NAND闪存的开发工作，推出了256兆位和128兆位器件，这些器件为各种消费电子提供具有成本效益的存储器，以满足这些产品的成本低廉、存储容量大的需求。这两个新产品的电源电压分3V和1.8V两个版本，与已量产的512兆位和1000兆位 产品组成ST的NAND闪存产品系列。
NAND256和 NAND128的数据吞吐速度极快，具有超强的擦除功能，并支持小功率编程和低压操作，以满足手机、个人数字助理和其它便携设备的需求。新产品采用先进的120纳米制造工艺，小尺寸的存储单元确保海量存储器的成本降低到最低限度，以满足对成本要求极高的产品的需求，如消费类闪存卡和USB移动盘。
该系列的所有产品的地址线和数据输入/输出信号都通过一条8位总线传输，这样设计减少了引脚数量，并允许使用一个模块化NAND接口，从而能够修改系统，使用密度更大（或更小）的器件，而这无需改变引脚的布局。
这两个新器件用于为便携消费产品提供具有成本效益的海量存储解决方案，如数码相机、PDA和全球定位GPS导航系统、一次性低密度闪存卡、移动闪盘和视频游戏用的移动存储器。
ST提供的一套软件开发工具有助于快速完成使用新存储器芯片的产品开发，延长产品的使用寿命。开发工具包括纠错代码软件（ECC）、坏块管理（BBM）、磨损检测、文件系统本机参考软件和硬件仿真模型。其中，坏块管理（BBM）用于发现并更换无法完成擦写操作的块，将坏块上的数据复制到其它有效块上；磨损检测算法通过在所有块中分配擦写操作来优化产品老化问题。
NAND128 和 NAND256分别由1024个标准块和2048个标准块组成，页面大小为528字节（512+16个备用字节）可以按页读取和编程，备用字节通常用于存储纠错码、软件标志或识别坏块。复制程序模式无需通过一个外部缓存就能把存储在一个页面上的数据直接复制到另一个页面上，这个功能通常用于在页面程序因为坏块而发生操作错误时将数据转移到正常的页面上。支持块擦除命令，块擦除时间仅为2ms。每个块规定的擦写循环100000次，数据保存能力10年。
器件选择包括从与非存储器开始引导的应用程序专用的“上电后自动0页读取”，以及使微处理器能够更高效地管理与非操作的“组件选通随意”。“组件选通随意”选择还简化了与非闪存与其它类型存储器如或非闪存或SRAM组合使用的难度。组合存储器通常用于要求速度更快的代码存储和工作存储应用，而成本低廉、存储容量大的与非存储器则更适合音乐或影像文件存储。此外，在出厂前可以写入一个唯一的器件标识符，而且，“用户可编程序列号”支持提高目标应用的安全级。
NAND128W3A 和 NAND256W3A (3V), NAND128R3A和 NAND256R3A (1.8V)都在测试样品中，新产品都采用TSOP48或VFBGA55 8x10mm焊球阵列封装。
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意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
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