中国，2004年12月13日 ? IEDM 2004国际电子器件研讨会于12月13-15日在加州旧金山隆重召开，世界知名的半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所STM）在会上宣读了15篇单独创作或与第三方合作编写的技术论文，其中11篇论文来自意法半导体法国Crolles研发中心，报告了最先进的CMOS技术的开发成果，另外的4篇论文来自意法半导体位于意大利Agrate的中央研发中心，报告了非易失性存储器的开发情况。
意法半导体公司副总裁兼中央研发中心总监Joel Monnier说：“我们是与会者中宣读论文最多的公司，这不仅突出了我们的位于Crolles 和 Agrate研发中心卓越的研发能力，而且还体现了我们与合作伙伴建立的长期的卓有成效的合作关系。在CMOS的主要研发领域，通过Crolles2联盟以及与世界一流的研究机构合作，我们尖端技术的开发和产业化已经居世界领先水平。”
在CMOS技术论文中，有10篇论文报告了有关90nm、65nm和 45nm平台的开发课题，另外还有几篇论文介绍了亚45nm技术解决方案，例如，题目为PRETCH: Poly-gate REplacement Through Contact Hole的文章介绍了一种用栅叠层取代最初制造的多晶硅栅和/或栅氧化膜的制造方法，以实现人们期望的优化的MOSFET特性，如低功耗、高速或I/O缓冲；在SOI（绝缘膜上硅）基片上演示的第一个用于高密度嵌入存储器的无电容DRAM单元；第一个采用ST的SON (Silicon-On-Nothing)创新薄膜技术的功能SRAM单元；在形成多孔低K电介质以解决扩展性难题方面，演示第一个用原子层沉积(ALD)取代物理气相沉积(PVD)……。此外，ST与研究合作伙伴法国LAAS-CNRS和夏威夷大学合作撰写的一篇论文还报告了聚合物电子技术在微波和毫米波的应用中取得的重大进展。
在非易失性存储器方面，ST研究人员宣读的两篇论文体现了ST对闪存技术的深入理解的，特别是对影响闪存可靠性的机构的深入理解。其中一篇回顾了过去10年在理解和掌握退化机制上取得的重大的新进展。第二篇论文由ST与研究伙伴米兰理工大学和意大利研究院IFN-CNR合作编写，论文介绍的实验报告演示了高能量氧化俘获的存在情况，这些高能量氧化俘获是导致数据保存能力降低的应力感生漏电流(SILC)的主要因素。换相存储器技术(PCM)是下一代非易失性存储器的主要替代技术，PCM存储器基于一种叫做硫属化物的材料，在低电阻的晶相和高电阻的非晶相两种稳定状态中，这种材料的存在状态可以是其中任何一种，通过给硫属化物电加热的方法可以使这两种状态相互转换。第三篇论文是ST中央研发中心与米兰理工大学合作撰写的，对PCM存储器的编程能力和相位分布做了全面的分析。
随着MOSFET的物理尺寸不断变小，接口效应已经成为掺杂纵向分布的越来越重要的决定性因素，同时它对器件有源矩阵是由窄硅带组成的结构如闪存单元阵列具有特别重要的实用意义。
Agrate研究人员宣读的第四篇论文介绍了硼隔离开发模型的实验和仿真研究，演示结果表明这个模型是开发未来非易失性存储器技术的有效工具。
|
意法半导体（ST）公司简介
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年，公司净收入88.8亿美元，净收益2.66亿美元，详情请访问ST网站：www.st.com
或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn。
|
|
|
 |
|
