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高效碳化硅600V肖特基结构二极管

碳化硅是一个宽带隙材料,可用于设计高压(最高1200V)二极管,碳化硅二极管的VF电压很低,开关损耗可忽略不计,在电子应用中可提高能效,降低辐射和传导噪声。

随着人们环保意识的提高和严格的节能法规的出台,电子设备设计工程师必须满足行业规范对能效的严格要求。
在这种形势下,碳化硅二极管是一个重要解决方案。

600V SiC diodes
 
数据表和产品 选型
碳化硅肖特基二极管
 
产品型号
最大电压
电流
在额定电流和高结温时的VF典型值
Qc
DPAK
D²PAK
TO-220AC
(V)
(A)
(V)
(nC)
封装后缀
STPSC406
600
4
1.9
3
B
 
D
STPSC606
600
6
1.6
6
 
G
D
STPSC806
600
8
1.6
10
 
G
D
STPSC1006
600
10
1.6
12
 
G
D
STPSC1206
600
12
1.6
12
   
D
 
特性
低正向压降(VF)
反向恢复电流损耗零或忽略不计
开关性能不受温度影响
 
优点
节能效果更好
能效更高
功率密度更高
设计更紧凑
 
目标应用
开关电源功率因数校正器
太阳能应用
 
产品手册和产品选型