在当前市场上，对于需要高压和高开关频率的应用ESBT（射极开关双极晶体管）是一种高价值、低成本选择。这种器件采用能承受高击穿电压（高达2200伏）的功率双极结构以及能实现更高开关速度（高达150KHz）的功率MOSFET结构，器件以串联方式配置。
优点: 低导通损耗：这是因为相对于高压Mosfet的VDSon（RDSon *Id），双极晶体管VCEsat更低。 最小的开关损耗：这是因为相对于功率双极晶体管长的关断时间（Ts + Tf），功率Mosfet的开关速度更快。
信号开关不在基极 没有以前的双极晶体管解决方案的缺点（不需要大的驱动电流）
仅需简单的直流电压偏置双极晶体管 不再有Ibon/Iboff精细调整问题
断开射极即可关断电路 IBoff = ICend ，可以实现快速关断
Ic 来自于基极 没有电流集中于射极指状结构（更高坚固性）
矩形RBSOA可以得到保证
在当前市场上，对于需要高压和高开关频率的应用ESBT（射极开关双极晶体管）是一种高价值、低成本选择。这种器件采用能承受高击穿电压（高达2200伏）的功率双极结构以及能实现更高开关速度（高达150KHz）的功率MOSFET结构，器件以串联方式配置。
低导通损耗：这是因为相对于高压Mosfet的VDSon（RDSon *Id），双极晶体管VCEsat更低。
