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面向高频应用的20安和40安“V”系列IGBT
超高速20安和40安IGBT产品的出现丰富了ST的IGBT产品系列。此类产品可以通过后缀“V”来判断，在同一块封装中提供带有和不带有续流二极管两种选择。
V系列产品属于基于成熟的PowerMESH IGBT 技术的第二代产品，采用了获得专利的带状版图工艺。第二代产品采用了电子束放射技术减少关断损耗。字母“NC”表示采用了第二代技术。

"V" 系列IGBT特性

最大操作温度150°C
高电流驱动能力: IC = 30A @ 100°C.
低 VCE(sat): < 2.5V @ INOM, 25°C.

在 125°C 时，相对于“ H ”系产品 STGW50NB60H ，对于关断能量和集电极 - 发射极饱和电压， “V” 系产品 STGW40NC60V 具有更好的折衷。

The "V" series shows a much better EOFF-VCE(sat) trade-off than the "S" and "H" IGBT families
“V”系列EOFF-VCE(sat)折衷性能优于“S”和“H”产品系列

"V" 系列IGBT应用
由于具有低的集电极-发射极饱和电压和关断损耗，“V”产品系列适合于所有的高频应用，诸如:

高频电机驱动器（工业和无声应用）
电机驱动器功率因子校正器
感应加热和烹饪（零电压）
照明(HF应用)

"V" 系列IGBT优点
对于“V”系列产品，Eon 代表IGBT接通损耗，包括快速二极管的反向恢复能量，如下:
20A and 40A V Series IGBTs for High Frequency Applications
20A and 40A V Series IGBTs for High Frequency Applications
从t1 (10% of VGE) 到 t2 (5% of VCE).
如果 IGBT 提供一个协同封装二极管（如 STGW20NC60VD ），开关能量测量时，这个二极管作为外部二极管考虑。请注意， Eon 的大小与 IGBT 的温度无关，但当外部二极管处于 125°C 时， E on 将增大。考虑到尾电流，需要不断积分直至电压稳定且电流为零。测量条件为： VCC = 390V, IC = INOM , VGE = 15V, RG = 3.3 Ohm ，此外接通以及关断测量时，保持 IGBT 和二极管工作于相同的温度 (25 和 125°C ) 。

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