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意法半导体(ST)在多片封装内组装8颗裸片


超薄 BGA封装内置多颗存储器芯片,大幅度提高存储容量,
在有限的空间内混装多种存储器,最大限度降低便携设备的尺寸

中国,2005年4月4日 ? 存储器和微控制器多片封装技术应用的领导者意法半导体(纽约证券交易所:STM)日前宣布该公司已开发出能够叠装多达8颗存储器芯片的高度仅为1.6mm的球栅阵列封装(BGA)技术,这项封装技术还可以将两个存储器芯片组装在一个厚度仅为0.8mm的超薄细节距BGA封装(UFBGA)内,采用这项制造技术生产的器件可以满足手机、数码相机和PDA等体积较小的设备的存储需求。

ST的多片封装(MCP)器件内置通常是二到四颗不同类型的存储芯片,如SRAM、闪存或DRAM,这些器件已经广泛用于空间很宝贵的手机产品中。因为芯片是直接堆叠组装在封装内,所以器件占用的印刷电路板空间与单片器件相同;因为存储芯片使用很多公用信号,如寻址和数据总线,所以封装与电路板之间的连线数量与单片器件也基本相同。

分立器件的使用允许在相同的占板面积内配备不同类型的甚至采用不同制造工艺的存储器,如NOR闪存和SRAM。其它可以组合的存储器包括NAND闪存和DRAM或者NOR闪存+NAN闪存+SRAM。双片封装可以集成一个ASIC和NAND闪存或NOR闪存和SRAM。

直到目前,能够切实可行地采用多片封装的芯片的数量还受到单个裸片厚度的限制,采用多片封装的典型应用是对器件总体积的要求与对电路板的要求相同,增加封装高度是无法接受的。ST的新技术充分利用了只有40微米厚的超薄裸片的优势, 只有40微米厚的“中介层”支撑并隔离封装内的每颗裸片。

八片MCP由八个有源存储器芯片和七个中介层组成,而超薄的双片UFBGA芯片只有一个中介层。利用BGA工艺处理只有正常圆晶厚度的四分之一的超薄晶片是一项重大的挑战,此外,ST还利用新的技术将这些器件的丝焊回路的高度降低到近40微米,丝焊是从裸片到封装焊盘的金丝连接,当芯片间隔如此紧密时,裸片上的丝线回路的高度必须远远低于正常高度。

在一个超小封装内集成一个大容量存储器的能力对于处理多媒体内容的手机和先进的PDA和数码相机特别实用,例如,采用八片堆叠封装技术后,过去1兆位(1Gb)存储器占用的电路板现在将能够容纳1兆字节(1GB)的存储器。利用能够内置多个芯片的MCP技术,现有产品将在很多情况下提高存储密度,而不会改变芯片占用电路板的面积。



意法半导体(ST)公司简介
意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年,公司净收入88.8亿美元,净收益2.66亿美元,详情请访问ST网站:www.st.com 或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn