STE50DE100 产品页面

采用螺钉安装ISOTOP封装的高功率STE50DE100的推出标志着ST全新射极开关双极晶体管产品系列的正式亮相 。此系列产品主要用于感应加热、焊接设备以及用于音频放大器的高端PFC。
通过这个器件，可将功率级有效地提高至2.5KW。 ST 的激励器产品范围不断扩大，意味着客户可以采用经济有效的高性能方案解决存在的问题。

众所周知，ST一直都在利用这两种技术生产尖端产品。在过去几年中，ST得到许多专利授权，同时市场占有率不断提高，这些均加强了ST晶体管制造领导者地位。
利用射极开关技术/拓扑，新的系列产品将上市销售。这种产品融合了双极晶体管和MOSFET两种技术的优点，同时消除了二者的缺点。

关于ESBT拓扑的更多信息请参考 AN1699.

为什么使用ESBT技术/拓扑？

双极晶体管过去是可用于开关应用的激励器，在低频（小于70KHz）下工作。

优点:

Low VCEsat (低(低传导损耗))

缺点:

	开关速度低
	驱动器（PWM）需要高电流（功率）输出
	驱动电路的精细调节难于实现

功率MOSFET通常用作高频激励器。

优点:

驱动器（PWM）需要的功率低

缺点:

	高成本技术(相对于双极晶体管)
	高传导功耗 (高 RDS(on) 高 VDS(on))

安全开关：矩形RBSOA

某些测试应用拓扑，利用可能的临界转换点，可使功率开关以硬开关方式工作。这个要求与经典的双极RSSOA不匹配。令人惊讶的是，由于拓扑本身以及器件的实现方式，得到矩形RSSOA是可能的。就安全开关而言，这将大大改善器件的性能。

应用范例

STE50DE100极易满足于感应加热所需的严格的电气要求。
下面是一个基本的感应加热结构图，以及一个单一开关通用拓扑。

临界工作条件

作为STE50DE100卓越性能的进一步证明，您可参考下面的波形。这些波形展示了器件在临界条件（开启、关断和传导）下的工作状态。

部件编号体系

为了定义每个产品，采用了一种新的复杂的命名法则，此法则提供了有关技术与封装的信息。
利用这个命名法则，很显然，STE50DE100 是一种以射极开关配置的“双极与MOSFET混合”产品，采用ISOTOP封装，可以承受高达50安的集电极电流以及高达1000伏的电压降。