 BUL741 产品页面 |
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BUL741的推出将进一步扩大ST面向HF镇流器的广泛产品范围，为低功率解决方案提供最具成本竞争优势的产品。全新的BUL741经过专门设计，适用 于120伏推挽式配置中的高达2X32瓦的电子镇流器和电流FED拓扑中的277伏半桥。 |
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BUL741采用多外延平面工艺制造，部署了专有无线发射器，能够确保半桥电流馈入拓扑所需的大电流，同时可显示出色的动态性能，尤其是在断开的条件下。 此外，它还采用了加厚的中间层，可提高基极集电极结击穿功能，使双极在发生雪崩条件下，能够承受高电流电平。
 高击穿电压, BV ces = 1050V
快且短的开关时间
防雪崩, Ear = 4mJ with L = 2mH
采用流行的TO-220、DPAK和IPAK封装
除了极轮廓之外，多外延平面工艺还有助于缩短下降时间，从而降低关断损耗（标准操作条件下，最重要的开关损耗）。对少数载体的使用寿命进行优化控制，得到 动态参数，从而提高在开路负载和短路操作条件下的系统总体效率。B-C结击穿度增大，意味着双极器件能够承受压力测试（如电弧测试）。在离相（off- phase）导致BC结进入雪崩状况时，开路负载与短路的突然转换可能会产生电流峰值。
BUL741可应用于具备出色成本效益比的2x32瓦电灯镇流器电路中。全新的BUL741完善了ST专用于电流馈入拓扑中的通用输入半桥的产品系列。
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部件编号
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Icn
[A]
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功率（高达）
[瓦]
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封装
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2.5
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2 x 32
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TO-220, DPAK, IPAK
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3
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3 x 32
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DPAK
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4
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4 x 32
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TO-220, DPAK, IPAK
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5
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140
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TO-220, TO-220FP
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在雪崩条件下对BUL741进行电弧测试.
B-C结作为齐纳二极管可防止VCE超过1050伏，避免设备出现故障
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