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1,500V功率MOSFET STx4N150:超越1000V
STx4N150 产品选择器
ST推出其首款基于优化的高压网格覆盖工艺的1,500V功率MOSFET。这种增强的布局与新的专有边缘终端结构结合起来,使该电压范围内每面积 RDS(on)最低,并且具有最低栅电荷值和无与伦比的开关特征,如下表所示。
STx4N150的主要特征
部件编号
VDSS
[V]
RDS(on)
@ 10V
[Ohm]
QG
[nC]
封装
STP4N150
1500
<7
30
TO-220
STW4N150
1500
<7
30
TO-247
STFV4N150
1500
<7
30
TO-220FH
这些器件可采用TO-220 和TO-247封装,或采用完全隔离的塑料TO-220FH封装,在该封装中,每个管脚之间以及管脚和散热片之间的爬电距离都增加了( >4mm)。这表示该器件能够满足高压应用的所有严格的安全标准。
三相辅助电源示意图
STx4N150的特性
典型 R
DS(on)
= 5 Ohm
雪崩坚固性
最小的栅电荷值
非常低的固有电容
高速开关
STx4N150的主要应用
三相辅助开关模式电源(SMPS)
心脏除颤仪(ICD)
电机驱动
HV压电驱动器B级放大器
为了研究其电气和热性能,STP4N150已经在一个基于回扫转换器拓扑的45W 三相辅助电源上进行测试。
该分析是在假定最大的输出负载和在两个不同的输入电压条件:290Vac和470Vac条件下进行的。
所有测量都是在环境温度下,将器件安装在散热片上进行的。
STP4N150在290Vac和470Vac的条件下测得的主要电气参数和热性能如下表所示。
输入
[V]
MOSFET上的V
DS
(最大值)
传导损耗
由于传导损耗温度
T
关闭能量
打开能量
总开关损耗
Tcase
160Vac
985V
0.56W
6.7°C
44µJ
7.4µJ
51µJ
85°C
280Vac
1390V
0.26W
3.0°C
77.8µJ
8.2µJ
85µJ
55°C
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