齐纳SuperMESH MOSFET是需要获得高性能的RCC控制电路的理想选择。背对背齐纳二极管不仅是为增强静电释放（ESD）保护而设计，而且还是为允许安全地吸收可能的 瞬态电压（偶尔从栅极到源极）而设计的。这种结构可以提供有效的、具有成本效益的器件保护。

 

三个不同的 SuperMESH 器件的热性能也不同。见应用注释/注解AN2228：基于 STD1LNK60Z 的手机电池充电器设计。

经过测试，由于封装Rth值不同，STD1LNK60Z和STQ1NK60ZR产生的热性能也不同:
采用IPAK封装的RthJA为100°C/W，而？
采用TO-92封装的RthJA为120°C/W

由于系统传导损耗比其开关损耗小的多，因此，STQ1NK60ZR和STQ2NK60ZR的温度很相似。
STQ1NK60ZR的开关性能越高，就越能抵消STQ2NK60ZR的低RDS(on)值的优势。因此，最佳选择是STD1LNK60Z，因为其可靠性 最高，而STQ1NK60ZR成本较高，电压也较高（700V和800V，用于BVDSS降额）。