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STD65N55F3和STD60N55F3

面向工业和汽车应用的低RDS(on)功率MOSFET

产品页面:

STD65N55F3

STD60N55F3

继最近推出STB180N55F3和STB185N55F3之后，ST扩大了其采用新的STripFET III工艺设计的器件范围。新型STD65N55F3和STD60N55F3可与最佳工业技术相匹敌，以实现采用DPAK 封装的最低RDS(on)值。

定制器件

汽车和工业细分市场的不同要求不是创造多用途器件，而是单个组件。因此，STD60N55F3的主要目标应用是工业市场，而STD65N55F3则面向汽车应用，并且完全符合ST所有的严格的汽车规则。

应用

	大电流开关应用
	DC / DC 转换器
	擦拭系统
	PWM 运动控制
	PWM 运动控制
	柴油机电热塞

"N...F3" 系列功率 MOSFETs

55V "N...F3"系列功率MOSFET源自现在用于低压技术的Multi-Drain工艺，以便显著降低每面积R_DS(on)。
这些新的"N...F3"系列功率MOSFET的每面积R_DS(on) 比以前的"NF"系列约小40%，这已经在第一批采用D2PAK和TO-220封装的器件上体现出来。事实上，"N...F3"系列具有相同的R_DS(on) 值，只占40%的硅面积。

特性

	175°C 工作温度
	标准阈值驱动
	该温度范围内的典型R_DS(on)为6.5mOhm
	不论是晶圆还是最终部件都100%通过雪崩测试
	在STD65N55F3的晶片探针测试过程中采用P.A.T.（零件平均测试）方法。

电气特征

部件编号	V_(BR)DSS [V]	电压为10V时R_DS(on)(最大值) [mOhm]	R_THJ-C [°C/W]	I_D [A]
STD65N55F3 STD60N55F3*	55	8.5	1.36	80

*还可以采用IPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封装

更小栅电荷值

与采用标准STripFET II技术的同等器件STD60NF06相比，STD65N55F3和STD60N55F3都具有更小的栅电荷值。

Low RDS(on) Power MOSFETs for Industrial and Automotive Applications

与以前的STripFET II技术相比，新的Mdmesh低压技术的栅电荷值减小

新款器件的QGD / QGS比约是“NF”系列器件的三分之一。这对于由同时导通造成的交叉传导损耗降至最低非常重要，主要是DC-DC转换器和全桥运动控制应用。



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