通过这些主要的改进，客户可以在放大器链（用来传输固定的输出功率和增益水平）内使用更少的有源组件（从而降低最终成本）。所有这些产品将在新的6”晶圆厂进行加工，该晶圆厂会确保在总体质量和服务上达到更高水平。

如同SD293X系列，新的SD294X系列采用“金属化N通道射频MOSFET技术”，而旧的SD293X工艺布局已被重新设计，以提高射频性能。特别 是，Crss（反馈电容）通过屏蔽结构被降低了，这就使新器件比上一代器件具有更高的射频增益。另一个重要的改善是降低了RDS(on)，以获得更高的输 出功率（Pout）；Pout范围现在变为75W -350W。这些工艺解决方案受独家专利权的保护。当然，仍然保持了上一代器件经过验证的耐用性和可靠性，以及市场上最低的热电阻值，这要归功于采用了“ 无基座”陶瓷封装。

金金属化；
新的受专利保护的工艺布局；
“无基座”陶瓷封装；

极其耐用的器件性能；
单个封装内的高Pout；
高增益；

单边带(SSB)；
FM / VHF广播；
工业激光；
用于显示器的等离子发生器；
用于半导体的等离子发生器；

	SD2941-10	SD2942	SD2943
电源	50V	50V	50V
频率	175MHz	175MHz	30MHz
输出功率	175W	350W	350W
增益（典型）	21.5dB	17.5dB	25dB
VSWR	10:1	5:1	5:1
封装	M174 单端	M244 Push-pull	M177 Single-ended
Rth j-c	0.45°C/W	0.35°C/W	0.27°C/W

从以前的SD293X和新的SD294X系列器件的比较中可以看出，新器件的总体射频性能大大提升，这要归功于采用了新的工艺布局。

	SD2942	SD2932
输出功率	350W （最小值）	300W （最小值）
效率	55% （最小值）	50% （最小值）
增益	17	16

很明显，在主要参数上取得了显著的效果。特别是，更高的输出功率对于新器件的所有目标应用都是大有好处。