| 混合射极开关双极晶体管 |
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| 数据表 | 可订购产品 | 特性和描述| 文件 |
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| 数据表 |
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| 可订购产品 |
| 产品 |
状态 |
RoHS |
封装 |
购买 |
| STC03DE170HV |
Active |
Yes |
TO247-4L HV |
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| STC03DE170HP |
Active |
Yes |
TO247-4L HP |
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| 特性和描述 |
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低等效导通电阻 |
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高速开关，高达 150KHz |
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矩形 RBSOA ，高达 1700 伏 |
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非常低的CISS，通过RG = 47 Ω |
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符合 2002/93/EC 欧盟指令 |
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| 关键参数: |
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产品编号
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RCS(ON) Δ[Ω]
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VCS(ON)Δ [V]
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tfΔ [ns]
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功耗 [W]
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封装类型
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STC03DE170HV
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0.55
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1
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14
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100
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TO247-4L HV
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STC03DE170HP
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35.5
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TO247-4L HP*
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| Δ VCS=1 V, IC=1.8 A, IB=0.36 A |
| * 隔离式 |
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| STC03DE170HV 和STC03DE170HV 是高压3安混合射极开关双极晶体管（ESBT），专为3相辅助开关式电源设计。作为ST混合ESBT产品系列的成员，他们将高压双极晶体管和低压 MOSFET技术融合在同一封装中。这样既可以减小传导和输出损耗，降低驱动功耗和成本，又可以最大化开关频率和输出功率。
STC03DE170HV/HP 的另外一个优点是它具有高的击穿电压，可适用于高反激电压和高占空比设计。高占空比允许电源控制更高的功率或接受更宽的输入电压范围。
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| 利用三相辅助电源（上图）作为参考电路，测量作为主开关的STC03DE170HV 和常用的1500伏MOSFET，下表比较了两种器件的参数: |
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产品编号
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BV [kV]
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Ron @ 1.5 A
[Ω]
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Von @ 1.5A
[V]
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tf
[ns]
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常用MOSFET
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1.5
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12
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18
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60
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STC03DE170HV
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1.7
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0.55
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0.9
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14
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| 理论和实际性能分析均表明：相对于MOSFET，STC03DE170HV 具有明显的优势。 |
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| 反激式转换器中ESBT STC03DE170的波形 |
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| 反激式转换器中功率MOSFET 2SK1317的波形 |
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| 文件 |
| 应用注释/注解 |
| 参考 |
标题 |
| AN1699 |
可降低动态VCE(sat) 和增强开关性能的ESBT高效驱动网络
(2005年9月，216 KB) 下载 |
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| 宣传文件 |
| 参考 |
标题 |
| SGESBT0707 |
ESBT® 射极开关双极晶体管
(2007年7月， 395 KB) 下载 |
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